离子注入机是（shì）芯片制（zhì）造中（zhōng）的核心关键装备（bèi）。中国电科连续突破大（dà）流强（qiáng）长寿命高品质离子源（yuán）、高速晶圆传（chuán）输等核心关键（jiàn）技术（shù），自主研制中束流（liú）、大束流、高能、特种应（yīng）用及第三代半（bàn）导（dǎo）体等离子注入机，工（gōng）艺段覆盖（gài）至28nm，累计形成核心发（fā）明专利（lì）413项，实现我（wǒ）国芯片制（zhì）造领（lǐng）域全谱系离子（zǐ）注入机自（zì）主创新发展，有效缓解我国芯片制造领域断（duàn）链、短（duǎn）链难（nán）题。

　　截止到（dào）目前，中国（guó）电科已成功实现离子注入机全（quán）谱系产品国（guó）产化，可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解（jiě）决方案。下一步，将瞄准高端，紧跟先进工（gōng）艺发展（zhǎn），加（jiā）快推进（jìn）适用于（yú）更（gèng）先进工艺节（jiē）点离子注（zhù）入（rù）机（jī）的研发及产业化（huà）。